سیلواکو

منو

نویسندگان

دانلود نرم افزار Silvaco2014 - لینک مستقیم

سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی است. معادلات مربوط به افزاره های ساخته شده توسط ن ...

دریافت فایل
ـنقاشـ

کتاب آموزشی شبیه سازی سیلواکو - بخش مقدماتی

شبیه‌ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این مشخصه‌ها شامل مشخصه‌های DC، سیگنال کوچک، پاسخ‌های زمانی، مدل‌های انتقال، نفوذ و رانش حاملها، تعادل انرژی، گرمایش شبکه، پیوندهای همگن ناگهانی و تدریجی، واکنش‌های اپتوالکترونیک با قابلیت مسیردهی اشعه، مواد آمورف و شبه بلور، تشعشعات، پارامترهای استاتیک بولتزمن و فرمی-دیراک، اثرات آلایش، دینامیک تله‌های شبکه و بازترکیب‌های سطحی، اوژه و تشعشعی هستند. ترکیب تکنیک‌های مدلسازی قدرتمند در قالب یک بسته نرم افزاری، این قابلیت منحصر به فرد را به ATLAS می‌دهد تا بازه وسیعی از مشخصه‌های کاری افزاره‌های مختلف را با دقت بالا مدلسازی کند. 
نرم افزار ATLAS با ارائه مشخصه‌های جریان-ولتاژ، به طراح این امکان را می‌دهد تا پارامترهای لایه‌های پیوندی را برای ایجاد یک طرح بهینه تنظیم نماید. برای طراحی یک افزاره چند لایه، لایه‌ها را می‌توان با ضخامت‌های مختلف مورد آزمایش قرار داد. نرم افزار ATLAS قادر به دریافت فایل‌های توصیفی از Athena و DevEdit (دیگر ابزارهای منتشر شده توسط سیلواکو) نیز می‌باشد. توسعه ساختار قطعه مورد نظر در ATLAS با استفاده از یک زبان برنامه نویسی انجام می‌شود. این زبان توسط موتور شبیه ساز ATLAS تفسیر شده و نتایج مورد نظر تولید می‌شوند.

کتاب الکترونیکی آموزش سیلواکو ATLAS، آموزش جامعی از روند ایجاد ساختار قطعه و شبیه‌سازی آن ارائه می دهد. 

تعداد صفحات: 147

سر فصل های آموزشی بخش مقدماتی 

فصل اول - آموزش نصب نرم افزار Silvaco
1-1- مقدمه
2-1- طریقه نصب سیلواکو
فصل دوم - معرفی نرم افزار سیلواکو
1-2- مقدمه
2-2- معرفی ابزار شبیه سازی ATLAS
3-2- مدلهای فیزیکی
4-2- مراجع
فصل سوم - شروع کار با Silvaco Atlas
1-3- بررسی اجمالی Deckbuild
2-3- فراخوانی Atlas
3-3- ورودیها و خروجیهای ATLAS
4-3- ساختار فایلهای ورودی در ATLAS
1-4-3- پارامترهای منطقی (Logical)
2-4-3- پارمترهای حقیقی (Real) و صحیح (Integer)
3-4-3- پارامترهای رشته‌ای (Character)
5-3- تعریف مشخصات ساختاری قطعه
6-3- توضیحات (Comments)
7-3- مش بندی
8-3- ناحیه ها (مناطق)
9-3- اتصالات الکتریکی (الکترودها)
10-3- آلایش
11-3- تعیین مشخصات و خواص مواد
12-3- تعریف ماده
13-3- کتابخانه سیلواکو
14-3- تعیین مدل ها
15-3- اتصالات الکتریکی
16-3- انتخاب روش حل عددی
17-3- مشخصه های تحلیل
1-17-3- دستور log
2-17-3- دستور Solve
1-2-17-3- حل DC
2-2-17-3- حل AC
3-17-3- استخراج داده ها و رسم نمودارها
4-17-3- تبادل داده ها با MATLAB
5-17-3- ذخیره تصاویر Tonyplot
18-3- مراجع
فصل چهارم - شبیه سازی دیود p-n
1-4- مقدمه
2-4- نیمه‌هادی‌های نوع n و p
3-4- تئوری باند انرژی
4-4- پیوند p-n
5-4- شبیه سازی
1-5-4- مش بندی ساختار
2-5-4- تعریف مناطق
3-5-4-تعریف الکترودها
4-5-4- تعیین ناخالصی
5-5-4- تعریف اتصالات اهمی و شاتکی
6-5-4- تعریف مدلها
7-5-4- انتخاب روش حل عددی
8-5-4- بایاس افزاره
9-5-4- نمایش نمودار جریان-ولتاژ دیود p-n
10-5-4- نمایش ساختار
1-10-5-4- نمایش پروفایل آلایش
11-5-4- نمایش ترازهای انرژی
6-4- مراجع
فصل پنجم - شبیهسازی ترانزیستور ماسفت
1-5- مقدمه
2-5- ساختار ترانزیستورهای ماسفت
3-5- عملکرد ماسفت بدون اعمال ولتاژ به گیت
4-5- ایجاد کانال برای عبور جریان
5-5- اعمال VDS کوچک
6-5- عملکرد به ازای VDS بزرگ
7-5- مشخصه ولتاژ – جریان ماسفت افزایشی
8-5- ساختار باند در ترکیبات نیمه هادی
9-5- شبیهسازی یک ترانزیستور NMOS (مثال اول ماسفت)
1-9-5- کد نویسی در ATLAS
1-1-9-5- فراخوانی ATLAS
2-1-9-5- تعریف مشبندی
3-1-9-5- تعریف مناطق
4-1-9-5- تعریف الکترودها
5-1-9-5- تعریف میزان و نوع آلایش
6-1-9-5- تعریف اتصالات
7-1-9-5- تعریف مدلها
8-1-9-5- انتخاب روش حل
9-1-9-5- بدست آوردن حل اولیه
10-1-9-5- اجرای شبیه سازی برای بدست آوردن یک حل با شرایط بایاس متفاوت
11-1-9-5- نمایش نتایج و ساختار افزاره
10-5- شبیه سازی یک ترانزیستور NMOS (مثال دوم ماسفت)
1-10-5- کدنویسی
11-5- مراجع

نویسنده: حمیدرضا ارزبین - هادی آغنده


در حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه Adobe reader نیاز می باشد. 

کتاب آموزشی شبیه سازی سیلواکو - بخش پیشرفته


شبیه‌ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این مشخصه‌ها شامل مشخصه‌های DC، سیگنال کوچک، پاسخ‌های زمانی، مدل‌های انتقال، نفوذ و رانش حاملها، تعادل انرژی، گرمایش شبکه، پیوندهای همگن ناگهانی و تدریجی، واکنش‌های اپتوالکترونیک با قابلیت مسیردهی اشعه، مواد آمورف و شبه بلور، تشعشعات، پارامترهای استاتیک بولتزمن و فرمی-دیراک، اثرات آلایش، دینامیک تله‌های شبکه و بازترکیب‌های سطحی، اوژه و تشعشعی هستند. ترکیب تکنیک‌های مدلسازی قدرتمند در قالب یک بسته نرم افزاری، این قابلیت منحصر به فرد را به ATLAS می‌دهد تا بازه وسیعی از مشخصه‌های کاری افزاره‌های مختلف را با دقت بالا مدلسازی کند. 
نرم افزار ATLAS با ارائه مشخصه‌های جریان-ولتاژ، به طراح این امکان را می‌دهد تا پارامترهای لایه‌های پیوندی را برای ایجاد یک طرح بهینه تنظیم نماید. برای طراحی یک افزاره چند لایه، لایه‌ها را می‌توان با ضخامت‌های مختلف مورد آزمایش قرار داد. نرم افزار ATLAS قادر به دریافت فایل‌های توصیفی از Athena و DevEdit (دیگر ابزارهای منتشر شده توسط سیلواکو) نیز می‌باشد. توسعه ساختار قطعه مورد نظر در ATLAS با استفاده از یک زبان برنامه نویسی انجام می‌شود. این زبان توسط موتور شبیه ساز ATLAS تفسیر شده و نتایج مورد نظر تولید می‌شوند.

کتاب الکترونیکی آموزش سیلواکو ATLAS، آموزش جامعی از روند ایجاد ساختار قطعه و شبیه‌سازی آن ارائه می دهد. 

تعداد صفحات: 147

سر فصل های آموزشی بخش پیشرفته

فصل ششم - شبیه سازی ترانزیستورIGBT
1-6- مقدمه
2-6- مزایا و معایب IGBT
3-6- ساختار افزاره
4-6- مدل مداری
5-6- مدهای عملکردی افزاره
1-5-6- حالت سد معکوس
2-5-6- حالت هدایت و سد مستقیم
6-6- مشخصه خروجی
7-6- مشخصه انتقالی
8-6- نوع PT و NPT
9-6- شبیه سازی
10-6- مراجع
فصل هفتم - شبیهسازی ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش اثر میدانی
1-7- مقدمه
2-7- ترانزیستورهای بدون پیوند
1-2-7- عملکرد ترانزیستور بدون پیوند
1-1-2-7- فیزیک ترانزیستور
2-1-2-7- مکانیزم جریان ترانزیستور
3-7- ترانزیستور بدون آلایش
1-3-7- اثر پلاسمای بار
2-3-7- ساختار ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش
3-3-7- دیاگرام باند انرژی و عملکرد افزاره
4-7- شبیه سازی
1-4-7- مش بندی
2-4-7- نواحی و الکترودها
3-4-7- آلایش و کانتکتها
4-4-7- مدلهای مورد استفاده در شبیه سازی
5-4-7- نتایج شبیه سازی
5-7- منابع
فصل هشتم - شبیهسازی ترانزیستورهای تونلی
1-8- عملکرد و شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی
2-8- معایب ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی
1-2-8- توان مصرفی بالا
2-2-8 شیب زیر آستانه بالا
3-8 عملکرد ترانزیستورهای تونلی
4-8- شبیه سازی ترانزیستور تونلی
1-4-8 نتایج شبیه سازی (دیاگرام باند انرژی، جریان و هدایت انتقالی)
2-4-8- تغییر اندازه پهنای ناحیه تونل زنی
3-4-8- بدست آوردن ولتاژ آستانه
4-4-8- بدست آوردن شیب زیر آستانه نقطه‌ای و متوسط
5-4-8- بدست آوردن فرکانس قطع
5-8- مراجع
فصل نهم - شبیه سازی سلولهای خورشیدی چند پیوندی
1-9- مقدمه
2-9- ویژگی های پایه مواد نیمه هادی
1-2-9- اثر فتوولتاییک
2-2-9- تئوری باند انرژی
3-2-9- فرایند جذب و بازترکیب در نیمه‌هادی
4-2-9- دیود تونلی
3-9- اصول اساسی سلول‌های خورشیدی
1-3-9- ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه
2-3-9- ضریب پر شدگی (FF)
3-3-9- بازده تبدیل توان
4-9- چالش‌های سلولهای خورشیدی ناهمگون
5-9- لایه‌های اصلی سلول‌های خورشیدی
1-5-9- سلول بالایی و پایینی
2-5-9- لایه Window
3-5-9- لایه Emitter و Base
4-5-9- لایه BSF
5-5-9- ناحیه تونلی
6-9- طراحی سلول‌های چند‌پیوند
1-6-9- شکاف باند
2-6-9- تطبیق شبکه
3-6-9- تطبیق جریان
7-9- ساختار کلی سلول خورشیدی چند پیوند گروه III-V
8-9- انتخاب مواد و ویژگیهای لایه های مختلف
9-9- شبیه سازی در سیلواکو
1-9-9- ساختار افزاره
2-9-9- نور دهی با AM1.5G
3-9-9- رفتار تونل‌زنی
4-9-9- مشخصه V-I
5-9-9- نرخ تولید فوتون
10-9- کدنویسی در Deckbuild
11-9- نمایش سایر نمودارهای سلول خورشیدی روی ساختار
12-9- نمایش نمودارهای خطی با کمک ساختار
13-9- مراجع
پیوست 1- آشنایی با مدلهای توزیع آماری Silvaco Atlas
پ-1-  توزیع آماری حامل‌ها
پ-1-1- فرمی دیراک و روش بولتزمن
پ-1-2- تراکم حامل ذاتی
پ-1-3- باریک شدگی گاف انرژی
پیوست 2- آشنایی با مدلهای تولید و بازترکیب Silvaco Atlas
پ-2- مدل‌های تولید و بازترکیب حامل
پ-2-1- مدل شاکلی رید هال
پ-2-2- مدل شاکلی رید هال وابسته به تراکم ناخالصی
پ-2-3- تونل زنی به کمک مشکلات شبکه
پ-2-4- مدل اوژه
پیوست 3- آشنایی با مدلهای موبیلیتی Silvaco Atlas
پ-3-1- مدل‌های موبیلیتی
پ-3-1-1- مدل‌های میدان ضعیف
پ-3-1-2- مدل‌های لایه وارونگی
پ-3-1-3- مدل‌های وابسته به میدان عمودی
پ-3-1-4- مدل‌ وابسته به میدان افقی
پ-3-1-5- همخوانی یا عدم همخوانی مدل‌های موبیلیتی
پ-3-1-6- خلاصه مدل‌های موبیلیتی
پیوست 4- آشنایی با مدلهای تونل زنی باند به باند Silvaco Atlas
پ-4-تونل زنی باند به باند
پ-4-1- دیود تونلی
پ-4-2- انواع تونل زنی باند به باند
پ-4-2-1- تونل زنی باند به باند مستقیم
پ-4-2-2- تونل زنی باند به باند غیر مستقیم (تونل زنی به کمک تله)
پ-4-3- مدل‌های تونل زنی باند به باند
پ-4-3-1- مدل استاندارد محلی (BBT.STD)
پ-4-3-2- مدل تونل زنی شِنْک
پ-4-3-3- مدل تونل زنی محلی کِین
پ-4-3-4- مدل تونل زنی باند به باند غیر محلی
پ-4-3-4-1- تقریب WKB و احتمال تونل زنی الکترون
پ-4-3-4-2- محاسبه جریان
پ-4-3-4-3- روش استفاده از مدل غیر محلی در نرم افزار سیلواکو
پ-4-3-4-4- ملاحظات تکمیلی برای مدل غیر محلی
پ-4-3-4-5- خلاصه پارامترهای مربوط به مدل غیر محلی
پیوست 5- آشنایی با مدلهای تحدید کوانتومی Silvaco Atlas
پ-5-1- تحدید کوانتومی در ابعاد نانو
پ-5-2- Bohm Quantum Potential (BQP)
پ-5-2- HANSCHQM


نویسنده: حمیدرضا ارزبین - هادی آغنده


در حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه Adobe reader نیاز می بباشد. 

مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیرآستانه کم

ترانزیستور بدون پیوند تونلی

در این محصول مقاله‌ای با "عنوان ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم" را برایتان ترجمه کرده‌ایم. این مقاله یکی از معروف‌ترین این مقالات در زمینه ترانزیستورهای بدون پیوند تونلی است.

 

آنچه که بعد از خرید در اختیارتان قرار می گیرد: 1. فایل WORD فارسی مقاله، 2. فایل PDF فارسی مقاله، 3. فایل انگلیسی مقاله

 

نمونه ترجمه:

چکیده: در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم. که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است. که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت ION/IOFF و شیب آستانه این نوعع ترانزیستورر در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد.

در این جا، ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم. و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت ۱۰۹ عملکرد بهینه‌ای را در ION/IOFF از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFETT شبیهه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFETTT یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.

کلیدواژه‌ها: FET تونلی بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.

 

ادامه مطلب