سیلواکو http://electron360.ir 2017-12-15T22:25:03+01:00 text/html 2017-12-13T09:14:43+01:00 electron360.ir ه آ کتاب آموزشی شبیه سازی سیلواکو - بخش مقدماتی http://electron360.ir/post/5 <div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><img hspace="0" border="0" align="baseline" vspace="0" src="http://s9.picofile.com/file/8314163292/238.jpg" alt=""></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">شبیه‌ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این مشخصه‌ها شامل مشخصه‌های DC، سیگنال کوچک، پاسخ‌های زمانی، مدل‌های انتقال، نفوذ و رانش حاملها، تعادل انرژی، گرمایش شبکه، پیوندهای همگن ناگهانی و تدریجی، واکنش‌های اپتوالکترونیک با قابلیت مسیردهی اشعه، مواد آمورف و شبه بلور، تشعشعات، پارامترهای استاتیک بولتزمن و فرمی-دیراک، اثرات آلایش، دینامیک تله‌های شبکه و بازترکیب‌های سطحی، اوژه و تشعشعی هستند. ترکیب تکنیک‌های مدلسازی قدرتمند در قالب یک بسته نرم افزاری، این قابلیت منحصر به فرد را به ATLAS می‌دهد تا بازه وسیعی از مشخصه‌های کاری افزاره‌های مختلف را با دقت بالا مدلسازی کند.&nbsp;</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">نرم افزار ATLAS با ارائه مشخصه‌های جریان-ولتاژ، به طراح این امکان را می‌دهد تا پارامترهای لایه‌های پیوندی را برای ایجاد یک طرح بهینه تنظیم نماید. برای طراحی یک افزاره چند لایه، لایه‌ها را می‌توان با ضخامت‌های مختلف مورد آزمایش قرار داد. نرم افزار ATLAS قادر به دریافت فایل‌های توصیفی از Athena و DevEdit (دیگر ابزارهای منتشر شده توسط سیلواکو) نیز می‌باشد. توسعه ساختار قطعه مورد نظر در ATLAS با استفاده از یک زبان برنامه نویسی انجام می‌شود. این زبان توسط موتور شبیه ساز ATLAS تفسیر شده و نتایج مورد نظر تولید می‌شوند.</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">کتاب الکترونیکی آموزش سیلواکو ATLAS، آموزش جامعی&nbsp;از روند ایجاد ساختار قطعه و شبیه‌سازی آن ارائه می دهد.&nbsp;</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">تعداد صفحات: 147</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><b>سر فصل های آموزشی بخش مقدماتی&nbsp;</b></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><b><br></b></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; text-align: justify;"><div style="font-size: 14px;"><b><font color="#ff0000">فصل اول - آموزش نصب نرم افزار Silvaco</font></b></div><div style="font-size: 14px;">1-1- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">2-1- طریقه نصب سیلواکو</div><div style="font-size: 14px;"><b><font color="#ff0000">فصل دوم - معرفی نرم افزار سیلواکو<span style="white-space: pre;"> </span></font></b></div><div style="font-size: 14px;">1-2- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">2-2- معرفی ابزار شبیه سازی ATLAS</div><div style="font-size: 14px;">3-2- مدلهای فیزیکی</div><div style="font-size: 14px;">4-2- مراجع</div><div style="font-size: 14px;"><b><font color="#ff0000">فصل سوم - شروع کار با Silvaco Atlas</font></b></div><div style="font-size: 14px;">1-3- بررسی اجمالی Deckbuild</div><div style="font-size: 14px;">2-3- فراخوانی Atlas</div><div style="font-size: 14px;">3-3- ورودیها و خروجیهای ATLAS</div><div style="font-size: 14px;">4-3- ساختار فایلهای ورودی در ATLAS</div><div style="font-size: 14px;">1-4-3- پارامترهای منطقی (Logical)<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">2-4-3- پارمترهای حقیقی (Real) و صحیح (Integer)</div><div style="font-size: 14px;">3-4-3- پارامترهای رشته‌ای (Character)</div><div style="font-size: 14px;">5-3- تعریف مشخصات ساختاری قطعه</div><div style="font-size: 14px;">6-3- توضیحات (Comments)</div><div style="font-size: 14px;">7-3- مش بندی</div><div style="font-size: 14px;">8-3- ناحیه ها (مناطق)</div><div style="font-size: 14px;">9-3- اتصالات الکتریکی (الکترودها)</div><div style="font-size: 14px;">10-3- آلایش</div><div style="font-size: 14px;">11-3- تعیین مشخصات و خواص مواد</div><div style="font-size: 14px;">12-3- تعریف ماده</div><div style="font-size: 14px;">13-3- کتابخانه سیلواکو</div><div style="font-size: 14px;">14-3- تعیین مدل ها</div><div style="font-size: 14px;">15-3- اتصالات الکتریکی<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">16-3- انتخاب روش حل عددی</div><div style="font-size: 14px;">17-3- مشخصه های تحلیل</div><div style="font-size: 14px;">1-17-3- دستور log</div><div style="font-size: 14px;">2-17-3- دستور Solve</div><div style="font-size: 14px;">1-2-17-3- حل DC</div><div style="font-size: 14px;">2-2-17-3- حل AC</div><div style="font-size: 14px;">3-17-3- استخراج داده ها و رسم نمودارها</div><div style="font-size: 14px;">4-17-3- تبادل داده ها با MATLAB</div><div style="font-size: 14px;">5-17-3- ذخیره تصاویر Tonyplot</div><div style="font-size: 14px;">18-3- مراجع</div><div style="font-size: 14px;"><b><font color="#ff0000">فصل چهارم - شبیه سازی دیود p-n</font></b></div><div style="font-size: 14px;">1-4- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">2-4- نیمه‌هادی‌های نوع n و p<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">3-4- تئوری باند انرژی</div><div style="font-size: 14px;">4-4- پیوند p-n</div><div style="font-size: 14px;">5-4- شبیه سازی</div><div style="font-size: 14px;">1-5-4- مش بندی ساختار</div><div style="font-size: 14px;">2-5-4- تعریف مناطق</div><div style="font-size: 14px;">3-5-4-تعریف الکترودها</div><div style="font-size: 14px;">4-5-4- تعیین ناخالصی</div><div style="font-size: 14px;">5-5-4- تعریف اتصالات اهمی و شاتکی</div><div style="font-size: 14px;">6-5-4- تعریف مدلها</div><div style="font-size: 14px;">7-5-4- انتخاب روش حل عددی</div><div style="font-size: 14px;">8-5-4- بایاس افزاره</div><div style="font-size: 14px;">9-5-4- نمایش نمودار جریان-ولتاژ دیود p-n</div><div style="font-size: 14px;">10-5-4- نمایش ساختار<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">1-10-5-4- نمایش پروفایل آلایش</div><div style="font-size: 14px;">11-5-4- نمایش ترازهای انرژی<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">6-4- مراجع</div><div style="font-size: 14px;"><b><font color="#ff0000">فصل پنجم - شبیهسازی ترانزیستور ماسفت</font></b></div><div style="font-size: 14px;">1-5- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">2-5- ساختار ترانزیستورهای ماسفت</div><div style="font-size: 14px;">3-5- عملکرد ماسفت بدون اعمال ولتاژ به گیت</div><div style="font-size: 14px;">4-5- ایجاد کانال برای عبور جریان</div><div style="font-size: 14px;">5-5- اعمال VDS کوچک<span style="white-space: pre;"> </span></div><div style="font-size: 14px;">6-5- عملکرد به ازای VDS بزرگ</div><div style="font-size: 14px;">7-5- مشخصه ولتاژ – جریان ماسفت افزایشی</div><div style="font-size: 14px;">8-5- ساختار باند در ترکیبات نیمه هادی</div><div style="font-size: 14px;">9-5- شبیهسازی یک ترانزیستور NMOS (مثال اول ماسفت)</div><div style="font-size: 14px;">1-9-5- کد نویسی در ATLAS</div><div style="font-size: 14px;">1-1-9-5- فراخوانی ATLAS</div><div style="font-size: 14px;">2-1-9-5- تعریف مشبندی</div><div style="font-size: 14px;">3-1-9-5- تعریف مناطق</div><div style="font-size: 14px;">4-1-9-5- تعریف الکترودها</div><div style="font-size: 14px;">5-1-9-5- تعریف میزان و نوع آلایش</div><div style="font-size: 14px;">6-1-9-5- تعریف اتصالات</div><div style="font-size: 14px;">7-1-9-5- تعریف مدلها</div><div style="font-size: 14px;">8-1-9-5- انتخاب روش حل</div><div style="font-size: 14px;">9-1-9-5- بدست آوردن حل اولیه</div><div style="font-size: 14px;">10-1-9-5- اجرای شبیه سازی برای بدست آوردن یک حل با شرایط بایاس متفاوت</div><div style="font-size: 14px;">11-1-9-5- نمایش نتایج و ساختار افزاره</div><div style="font-size: 14px;">10-5- شبیه سازی یک ترانزیستور NMOS (مثال دوم ماسفت)</div><div style="font-size: 14px;">1-10-5- کدنویسی</div><div style="font-size: 14px;">11-5- مراجع</div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style="font-size: 14px;">نویسنده: حمیدرضا ارزبین - هادی آغنده</div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style="font-size: 14px;">در حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه&nbsp;<a href="http://dl2.soft98.ir/adobe/Adobe.Reader.11.0.10.exe?1513152420" target="_blank" title="دانلود Adobe Reader">Adobe reader</a>&nbsp;نیاز می باشد.&nbsp;</div><div style="text-align: center;"><a href="http://mohandes360.ir/post/253" target="" title="" style=""><font size="6" style="background-color: rgb(255, 255, 255);" color="#ff0000">لینک خرید کتاب</font></a></div></div> text/html 2017-12-13T09:06:48+01:00 electron360.ir ه آ کتاب آموزشی شبیه سازی سیلواکو - بخش پیشرفته http://electron360.ir/post/3 <div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">شبیه‌ساز ATLAS قابلیت مدلسازی محدوده وسیعی از مشخصات فیزیکی ادوات الکترونیکی را داراست. این مشخصه‌ها شامل مشخصه‌های DC، سیگنال کوچک، پاسخ‌های زمانی، مدل‌های انتقال، نفوذ و رانش حاملها، تعادل انرژی، گرمایش شبکه، پیوندهای همگن ناگهانی و تدریجی، واکنش‌های اپتوالکترونیک با قابلیت مسیردهی اشعه، مواد آمورف و شبه بلور، تشعشعات، پارامترهای استاتیک بولتزمن و فرمی-دیراک، اثرات آلایش، دینامیک تله‌های شبکه و بازترکیب‌های سطحی، اوژه و تشعشعی هستند. ترکیب تکنیک‌های مدلسازی قدرتمند در قالب یک بسته نرم افزاری، این قابلیت منحصر به فرد را به ATLAS می‌دهد تا بازه وسیعی از مشخصه‌های کاری افزاره‌های مختلف را با دقت بالا مدلسازی کند.&nbsp;</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">نرم افزار ATLAS با ارائه مشخصه‌های جریان-ولتاژ، به طراح این امکان را می‌دهد تا پارامترهای لایه‌های پیوندی را برای ایجاد یک طرح بهینه تنظیم نماید. برای طراحی یک افزاره چند لایه، لایه‌ها را می‌توان با ضخامت‌های مختلف مورد آزمایش قرار داد. نرم افزار ATLAS قادر به دریافت فایل‌های توصیفی از Athena و DevEdit (دیگر ابزارهای منتشر شده توسط سیلواکو) نیز می‌باشد. توسعه ساختار قطعه مورد نظر در ATLAS با استفاده از یک زبان برنامه نویسی انجام می‌شود. این زبان توسط موتور شبیه ساز ATLAS تفسیر شده و نتایج مورد نظر تولید می‌شوند.</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">کتاب الکترونیکی آموزش سیلواکو ATLAS، آموزش جامعی&nbsp;از روند ایجاد ساختار قطعه و شبیه‌سازی آن ارائه می دهد.&nbsp;</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;">تعداد صفحات: 147</div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><br></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><b>سر فصل های آموزشی بخش پیشرفته</b></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; font-size: 14px; text-align: justify;"><b><br></b></div><div style="font-family: Mihan-Iransans; text-align: justify;"><div style="font-size: 14px;"><div><b><font color="#ff0000">فصل ششم - شبیه سازی ترانزیستورIGBT</font></b></div><div>1-6- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div>2-6- مزایا و معایب IGBT</div><div>3-6- ساختار افزاره</div><div>4-6- مدل مداری</div><div>5-6- مدهای عملکردی افزاره</div><div>1-5-6- حالت سد معکوس</div><div>2-5-6- حالت هدایت و سد مستقیم</div><div>6-6- مشخصه خروجی</div><div>7-6- مشخصه انتقالی</div><div>8-6- نوع PT و NPT</div><div>9-6- شبیه سازی</div><div>10-6- مراجع</div><div><b><font color="#ff0000">فصل هفتم - شبیهسازی ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش اثر میدانی</font></b></div><div>1-7- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div>2-7- ترانزیستورهای بدون پیوند</div><div>1-2-7- عملکرد ترانزیستور بدون پیوند</div><div>1-1-2-7- فیزیک ترانزیستور</div><div>2-1-2-7- مکانیزم جریان ترانزیستور</div><div>3-7- ترانزیستور بدون آلایش</div><div>1-3-7- اثر پلاسمای بار</div><div>2-3-7- ساختار ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش</div><div>3-3-7- دیاگرام باند انرژی و عملکرد افزاره</div><div>4-7- شبیه سازی</div><div>1-4-7- مش بندی</div><div>2-4-7- نواحی و الکترودها</div><div>3-4-7- آلایش و کانتکتها</div><div>4-4-7- مدلهای مورد استفاده در شبیه سازی</div><div>5-4-7- نتایج شبیه سازی</div><div>5-7- منابع</div><div><b><font color="#ff0000">فصل هشتم - شبیهسازی ترانزیستورهای تونلی</font></b></div><div>1-8- عملکرد و شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی</div><div>2-8- معایب ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی</div><div>1-2-8- توان مصرفی بالا</div><div>2-2-8 شیب زیر آستانه بالا</div><div>3-8 عملکرد ترانزیستورهای تونلی</div><div>4-8- شبیه سازی ترانزیستور تونلی</div><div>1-4-8 نتایج شبیه سازی (دیاگرام باند انرژی، جریان و هدایت انتقالی)</div><div>2-4-8- تغییر اندازه پهنای ناحیه تونل زنی</div><div>3-4-8- بدست آوردن ولتاژ آستانه</div><div>4-4-8- بدست آوردن شیب زیر آستانه نقطه‌ای و متوسط</div><div>5-4-8- بدست آوردن فرکانس قطع</div><div>5-8- مراجع</div><div><b><font color="#ff0000">فصل نهم - شبیه سازی سلولهای خورشیدی چند پیوندی</font></b></div><div>1-9- مقدمه<span style="white-space: pre;"> </span></div><div>2-9- ویژگی های پایه مواد نیمه هادی</div><div>1-2-9- اثر فتوولتاییک</div><div>2-2-9- تئوری باند انرژی</div><div>3-2-9- فرایند جذب و بازترکیب در نیمه‌هادی</div><div>4-2-9- دیود تونلی</div><div>3-9- اصول اساسی سلول‌های خورشیدی</div><div>1-3-9- ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه</div><div>2-3-9- ضریب پر شدگی (FF)</div><div>3-3-9- بازده تبدیل توان</div><div>4-9- چالش‌های سلولهای خورشیدی ناهمگون</div><div>5-9- لایه‌های اصلی سلول‌های خورشیدی</div><div>1-5-9- سلول بالایی و پایینی</div><div>2-5-9- لایه Window</div><div>3-5-9- لایه Emitter و Base</div><div>4-5-9- لایه BSF</div><div>5-5-9- ناحیه تونلی</div><div>6-9- طراحی سلول‌های چند‌پیوند</div><div>1-6-9- شکاف باند</div><div>2-6-9- تطبیق شبکه</div><div>3-6-9- تطبیق جریان</div><div>7-9- ساختار کلی سلول خورشیدی چند پیوند گروه III-V</div><div>8-9- انتخاب مواد و ویژگیهای لایه های مختلف</div><div>9-9- شبیه سازی در سیلواکو</div><div>1-9-9- ساختار افزاره</div><div>2-9-9- نور دهی با AM1.5G</div><div>3-9-9- رفتار تونل‌زنی</div><div>4-9-9- مشخصه V-I</div><div>5-9-9- نرخ تولید فوتون</div><div>10-9- کدنویسی در Deckbuild</div><div>11-9- نمایش سایر نمودارهای سلول خورشیدی روی ساختار</div><div>12-9- نمایش نمودارهای خطی با کمک ساختار</div><div>13-9- مراجع</div><div><b><font color="#ff0000">پیوست 1- آشنایی با مدلهای توزیع آماری Silvaco Atlas</font></b></div><div>پ-1-&nbsp; توزیع آماری حامل‌ها</div><div>پ-1-1- فرمی دیراک و روش بولتزمن</div><div>پ-1-2- تراکم حامل ذاتی</div><div>پ-1-3- باریک شدگی گاف انرژی</div><div><b><font color="#ff0000">پیوست 2- آشنایی با مدلهای تولید و بازترکیب Silvaco Atlas</font></b></div><div>پ-2- مدل‌های تولید و بازترکیب حامل</div><div>پ-2-1- مدل شاکلی رید هال</div><div>پ-2-2- مدل شاکلی رید هال وابسته به تراکم ناخالصی</div><div>پ-2-3- تونل زنی به کمک مشکلات شبکه</div><div>پ-2-4- مدل اوژه</div><div><b><font color="#ff0000">پیوست 3- آشنایی با مدلهای موبیلیتی Silvaco Atlas</font></b></div><div>پ-3-1- مدل‌های موبیلیتی</div><div>پ-3-1-1- مدل‌های میدان ضعیف</div><div>پ-3-1-2- مدل‌های لایه وارونگی</div><div>پ-3-1-3- مدل‌های وابسته به میدان عمودی</div><div>پ-3-1-4- مدل‌ وابسته به میدان افقی</div><div>پ-3-1-5- همخوانی یا عدم همخوانی مدل‌های موبیلیتی</div><div>پ-3-1-6- خلاصه مدل‌های موبیلیتی</div><div><b><font color="#ff0000">پیوست 4- آشنایی با مدلهای تونل زنی باند به باند Silvaco Atlas</font></b></div><div>پ-4-تونل زنی باند به باند</div><div>پ-4-1- دیود تونلی</div><div>پ-4-2- انواع تونل زنی باند به باند</div><div>پ-4-2-1- تونل زنی باند به باند مستقیم</div><div>پ-4-2-2- تونل زنی باند به باند غیر مستقیم (تونل زنی به کمک تله)</div><div>پ-4-3- مدل‌های تونل زنی باند به باند</div><div>پ-4-3-1- مدل استاندارد محلی (BBT.STD)</div><div>پ-4-3-2- مدل تونل زنی شِنْک</div><div>پ-4-3-3- مدل تونل زنی محلی کِین</div><div>پ-4-3-4- مدل تونل زنی باند به باند غیر محلی</div><div>پ-4-3-4-1- تقریب WKB و احتمال تونل زنی الکترون</div><div>پ-4-3-4-2- محاسبه جریان</div><div>پ-4-3-4-3- روش استفاده از مدل غیر محلی در نرم افزار سیلواکو</div><div>پ-4-3-4-4- ملاحظات تکمیلی برای مدل غیر محلی</div><div>پ-4-3-4-5- خلاصه پارامترهای مربوط به مدل غیر محلی</div><div><b><font color="#ff0000">پیوست 5- آشنایی با مدلهای تحدید کوانتومی Silvaco Atlas</font></b></div><div>پ-5-1- تحدید کوانتومی در ابعاد نانو</div><div>پ-5-2- Bohm Quantum Potential (BQP)</div><div>پ-5-2- HANSCHQM</div></div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style="font-size: 14px;">نویسنده: حمیدرضا ارزبین - هادی آغنده</div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style="font-size: 14px;"><br></div><div style=""><span style="font-size: 14px;">در حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه&nbsp;</span><a href="http://dl2.soft98.ir/adobe/Adobe.Reader.11.0.10.exe?1513152420" target="_blank" title="دانلود Adobe Reader" style="font-size: 14px;">Adobe reader</a><span style="font-size: 14px;">&nbsp;نیاز می بباشد.&nbsp;</span><br><div style="text-align: center;"><a href="http://mohandes360.ir/post/254" target="" title="" style=""><font size="6" color="#ff0000">لینک خرید این کتاب</font></a></div></div></div> text/html 2017-11-07T07:38:34+01:00 electron360.ir ه آ مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیرآستانه کم http://electron360.ir/post/2 <h3 style="text-align: justify; box-sizing: border-box; font-weight: 500; line-height: 1.1; margin-top: 5px; margin-bottom: 10px; font-size: 21px;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 102, 0);"><font face="Mihan-Iransans">ترانزیستور بدون پیوند تونلی</font></span></h3><p style="box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"></p><div style="text-align: justify;"><span style="font-family: Mihan-Iransans;">در این محصول مقاله‌ای با "عنوان ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم" را برایتان ترجمه کرده‌ایم. این مقاله یکی از معروف‌ترین این مقالات در زمینه ترانزیستورهای بدون پیوند تونلی است.</span></div><font face="Mihan-Iransans"><div style="text-align: justify;"><a href="http://s8.picofile.com/file/8276076100/2013_A_junctionless_tunnel_field_effect_transistor_with_low_subthreshold.pdf.html" style="background-color: transparent; box-sizing: border-box; text-decoration-line: none; color: rgb(0, 0, 0) !important;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 102, 0);">دانلود مقاله انگلیسی</span></a></div></font><p></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">&nbsp;</font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">آنچه که بعد از خرید در اختیارتان قرار می گیرد:&nbsp;<span style="box-sizing: border-box;">1. فایل WORD فارسی مقاله</span>،&nbsp;<span style="box-sizing: border-box;">2. فایل PDF فارسی مقاله</span>،&nbsp;<span style="box-sizing: border-box;">3. فایل انگلیسی مقاله</span></font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">&nbsp;</font></p><h3 style="text-align: justify; box-sizing: border-box; font-weight: 500; line-height: 1.1; margin-top: 5px; margin-bottom: 10px; font-size: 21px;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(128, 128, 0);"><font face="Mihan-Iransans">نمونه ترجمه:</font></span></h3><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(51, 51, 0);"><font face="Mihan-Iransans"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 0, 0);"><span style="box-sizing: border-box; font-weight: 700;">چکیده:</span></span>&nbsp;در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم. که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است. که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">ON</span>/I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">OFF</span>&nbsp;و شیب آستانه این نوعع ترانزیستورر در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد.</font></span></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">در این جا، ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم. و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت ۱۰<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; top: -0.5em;">۹</span>&nbsp;عملکرد بهینه‌ای را در I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">ON</span>/I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">OFF</span>&nbsp;از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFETT شبیهه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFETTT یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.</font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 0, 0);"><span style="box-sizing: border-box; font-weight: 700;">کلیدواژه‌ها:</span>&nbsp;</span>FET تونلی بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.</font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">&nbsp;</font></p>