مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیرآستانه کم

8,000 تومان

توضیحات

ترانزیستور بدون پیوند تونلی

در این محصول مقاله‌ای با “عنوان ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم” را برایتان ترجمه کرده‌ایم. این مقاله یکی از معروف‌ترین این مقالات در زمینه ترانزیستورهای بدون پیوند تونلی است.
 دانلود مقاله انگلیسی

نمونه ترجمه:

چکیده: در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم. که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند  می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است. که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت ION/IOFF و شیب آستانه این نوع ترانزیستورر در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد.

در این جا، ترانزیستورهای  اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم. و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت  ۱۰۹ عملکرد بهینه‌ای را در ION/IOFF از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFET شبیهه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFETT یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.

کلیدواژه‌ها: FET تونل بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.

برای خرید محصولات ما کافی است که محصول مورد نظر را به سبد خرید خود افزوده و سپس بر روی دکمه نمایش سبد خرید کلیک کنید و با استفاده از درگاه بانکی مبلغ مورد نظر را پرداخت کنید. پس از پرداخت دکمه تایید پرداخت را کلیک کنید تا اینکه دوباره به سایت ما بازگردید. در هنگام ثبت مشخصات آدرس ایمیلتان را به صورت صحیح وارد کنید تا اینکه لینک دانلود به ایمیلتان نیز ارسال کردد.

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیرآستانه کم”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *